Dispositivi di potenza a semiconduttore

Questo libro raccoglie le lezioni svolte dall'autore presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università di Catania agli studenti del corso di laurea in microelettronica. È quindi rivolto a chi per la prima volta, per studio o per lavoro, ha necessità di comprendere i meccanismi di funzionamento dei transistori di potenza e le problematiche che emergono quando si passa dai principi di funzionamento al comportamento reale del dispositivo. Il libro è formato da un corpo centrale, diviso in quattro parti, con l'aggiunta di schede di approfondimento alla fine di ogni capitolo. La prima parte si occupa dei transistori bipolari di potenza, la seconda dei dispositivi a gate isolato (PowerMOSFET e IGBT), la terza delle tecniche di controllo del tempo di vita dei minoritari e della integrazione di potenza, l'ultima parte fornisce elementi di conoscenza su alcune linee di sviluppo future. Le schede analizzano particolari argomenti legati a problematiche emerse nelle fasi di realizzazione-caratterizzazione dei dispositivi.