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Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications - cover
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Advanced Indium Arsenide-Based HEMT Architectures for Terahertz Applications
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Descrizione


Explains the influence of InAs material in the performance of HEMTs and MOS-HEMTs Covers novel indium arsenide architectures for achieving terahertz frequencies Discusses impact of device parameters on frequency response Illustrates noise characterization of optimized indium arsenide HEMTs Introduces terahertz electronics including sources for terahertz applications
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Dettagli

2023
Paperback / softback
130 p.
Testo in English
234 x 156 mm
453 gr.
9780367554156
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